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 分析試験設備紹介
 表面・構造分析・結晶方位解析装置:電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS/EBSD)

JSM-7800F EBSD
装置外観 左:(JEOL製 JSM-7800F 右:TSL製 結晶方位解析装置(EBSD))
 原理

固体試料表面に電子線を照射し、
@試料から発生する二次電子、反射電子、特性X線を検出して観察・分析を行う。

A試料表面で生じる電子線後方散乱回折によって観測されたEBSDパターンを測定・解析することで、結晶方位等の情報を取得する。
 用途

@試料の形態、破断面、微細領域の観察
A観察部分の化学成分組成の定性分析

B結晶粒の結晶方位分布の可視化
装置仕様
 加速電圧  0.01〜30kV
 二次電子分解能  加速電圧 15kV  1.0nm(通常時)
 0.8nm(ジェントルビームモード時)
 加速電圧 1kV  1.5nm(通常時)
 1.2nm(ジェントルビームモード時)
 倍率  X25〜X1,000,000
 分析元素  Be4〜Am95
事例紹介
 JSM-7800Fの事例1  磁石材料の低加速SEM観察
 JSM-7800Fの事例2  SEMによる電子線後方散乱回折法(EBSD)
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